SSM3K56MFV,L3F Toshiba МОП-транзистор Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM3K56MFV,L3F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM3K56MFV,L3F
Id - непрерывный ток утечки
800 mA
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора
1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
186 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.5 mm
Длина
1.2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
8000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM3K56
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-723-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
8.5 ns
Типичное время задержки при включении
5.5 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
0.8 mm
MOSFET Small-signal FET 0.8A 20V 0.84ohm
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...