SSM3K59CTB,L3F Toshiba МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор ID: 2A, VDSS: 40V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM3K59CTB,L3F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM3K59CTB,L3F
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
1000 mW
Qg - заряд затвора
1.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
1.8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.48 mm
Длина
1.2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
10000
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM3K59
Технология
Si
Тип корпуса
CST3B-3
Типичное время задержки выключения
8 ns
Типичное время задержки при включении
13 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
0.8 mm
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...