SSM6H19NU,LF Toshiba МОП-транзистор UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6H19NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6H19NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
3.6 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel, SBD
Серия
SSM6H19
Технология
Si
Тип корпуса
UDFN-6
Тип транзистора
1 N-Channel, SBD
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...