SSM6J212FE,LF Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6J212FE,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6J212FE,LF
Id - непрерывный ток утечки
- 4 A
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора
14.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
94 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 0.3 V to - 1 V
Вес изделия
36 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
SSM6J212
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Тип транзистора
1 P-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...