SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6J215FE(TE85L,F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6J215FE(TE85L,F
Id - непрерывный ток утечки
- 3.4 A
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора
10.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
154 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 0.3 V to - 1 V
Вес изделия
36 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
SSM6J213
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Тип транзистора
1 P-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...