SSM6J505NU,LF Toshiba МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6J505NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6J505NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
- 12 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 W
Qg - заряд затвора
37.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
61 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
- 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток
6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
- 0.3 V to - 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
P-Channel
Серия
SSM6J505
Технология
Si
Тип корпуса
UDFN6B-6
Тип транзистора
1 P-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...