SSM6K202FE,LF Toshiba МОП-транзистор Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6K202FE,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6K202FE,LF
Id - непрерывный ток утечки
2.3 A
Pd - рассеивание мощности
500 mW (1/2 W)
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
66 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6K202
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
31 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET Small-signal FET 2.3A 30V 0.145Ohm
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...