SSM6L09FUTE85LF Toshiba МОП-транзистор N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

Виробник: TOSHIBA

Код товару: SSM6L09FUTE85LF

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: SSM6L09FUTE85LF

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 400 mA

Pd - рассеивание мощности 300 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.8 V, - 1.8 V

Вес изделия 7,500 mg

Вид монтажа SMD/SMT

Высота 0.9 mm

Длина 2 mm

Количество в заводской упаковке 3000

Количество каналов 2 Channel

Конфигурация 1 N-Channel, 1 P-Channel

Полярность транзистора N-Channel, P-Channel

Серия SSM6L09

Технология Si

Тип корпуса SOT-363-6

Тип транзистора 1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения 68 ns, 85 ns

Типичное время задержки при включении 72 ns, 85 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 1.25 mm

MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...