SSM6L35FU(TE85L,F) Toshiba МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6L35FU(TE85L,F)
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6L35FU(TE85L,F)
Id - непрерывный ток утечки
180 mA
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, - 1 V
Вес изделия
7,500 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.9 mm
Длина
2 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
1 N-Channel, 1 P-Channel
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Серия
SSM6L35
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-363-6
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
300 ns, 251 ns
Типичное время задержки при включении
115 ns, 175 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.25 mm
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...