SSM6L61NU,LF Toshiba МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6L61NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6L61NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
4 A, - 4 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
3.6 nC, 6.74 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
108 mOhms, 157 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V, - 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
+/- 8 V, +/- 12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV, - 500 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
-
Время спада
-
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
12 S, 9.5 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
-
Полярность транзистора
N-Channel, P-Channel
Продукт
MOSFETs
Серия
UMOSIX
Технология
Si
Тип
Silicon P-/N-Channel MOS
Тип корпуса
UDFN-6
Тип транзистора
1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
45 ns, 54 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns, 21 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...