SSM6N35FE,LM Toshiba МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N35FE,LM
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N35FE,LM
Id - непрерывный ток утечки
180 mA, 180 mA
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
20 Ohms, 20 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V, 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV, 400 mV
Вес изделия
8,200 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N35
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET Small Signal MOSFET
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...