SSM6N55NU,LF Toshiba МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N55NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N55NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
1 W
Qg - заряд затвора
2.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
64 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.3 V to 2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N55
Технология
Si
Тип корпуса
UDFN-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...