SSM6N56FE,LM Toshiba МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор N-Channel
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N56FE,LM
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N56FE,LM
Id - непрерывный ток утечки
0.8 A, 0.8 A
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
235 mOhms, 235 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V, 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V, 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V, 1 V
Вес изделия
8,200 mg
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Максимальная рабочая температура
-
Минимальная рабочая температура
-
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N56
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET Small-signal MOSFET N-Channel
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...