SSM6N57NU,LF Toshiba МОП-транзистор 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N57NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N57NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
3.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
82 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
0.4 V to 1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N57
Технология
Si
Тип корпуса
UDFN-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...