SSM6N61NU,LF Toshiba МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор 2 in 1 Nch ID: 4A
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N61NU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N61NU,LF
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
2 W
Qg - заряд затвора
3.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
108 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.75 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
2 N-Channel
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
12 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFETs
Серия
SSM6N61
Технология
Si
Тип
Silicon N-Channel MOS
Тип корпуса
UDFN-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2 mm
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...