SSM6N7002BFE,LM Toshiba МОП-транзистор ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N7002BFE,LM
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N7002BFE,LM
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.55 mm
Длина
1.6 mm
Количество в заводской упаковке
4000
Количество каналов
2 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N7002
Технология
Si
Тип корпуса
ES6-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.2 mm
MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...