SSM6N7002BFU,LF Toshiba МОП-транзистор 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N7002BFU,LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N7002BFU,LF
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.9 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
SSM6N7002
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-363-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
14.5 ns
Типичное время задержки при включении
3.3 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.25 mm
MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...