SSM6N7002FUTE85LF Toshiba МОП-транзистор SMOS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: SSM6N7002FUTE85LF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: SSM6N7002FUTE85LF
Id - непрерывный ток утечки
200 mA
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
72 ns
Время спада
72 ns
Высота
0.9 mm
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
3000
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
170 mS
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Продукт
MOSFET Small Signal
Серия
SSM6N7002
Технология
Si
Тип корпуса
SOT-363-6
Тип транзистора
2 N-Channel
Типичное время задержки выключения
69 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
1.25 mm
MOSFET SMOS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...