TK100A10N1,S4X Toshiba МОП-транзистор МОП-транзистор NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK100A10N1,S4X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK100A10N1,S4X
Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
45 W
Qg - заряд затвора
140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V to 4 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK100A10N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.5 mm
MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...