TK100E10N1,S1X Toshiba МОП-транзистор 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK100E10N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK100E10N1,S1X
Id - непрерывный ток утечки
207 A
Qg - заряд затвора
140 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK100E10N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.45 mm
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...