TK100L60W,VQ Toshiba МОП-транзистор DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TK100L60W,VQ

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TK100L60W,VQ

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 100 A

Pd - рассеивание мощности 797 W

Qg - заряд затвора 360 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 15 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V to 3.7 V

Вес изделия 7 g

Вид монтажа Through Hole

Время нарастания 130 ns

Время спада 125 ns

Высота 26 mm

Длина 20 mm

Количество в заводской упаковке 100

Количество каналов 1 Channel

Коммерческое обозначение DTMOSIV

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TK100L60

Технология Si

Тип корпуса TO-3PL-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 690 ns

Типичное время задержки при включении 230 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 5 mm

MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...