TK10A80E,S4X Toshiba МОП-транзистор PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TK10A80E,S4X

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TK10A80E,S4X

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 10 A

Pd - рассеивание мощности 50 W

Qg - заряд затвора 46 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 700 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V

Вес изделия 6 g

Вид монтажа Through Hole

Время нарастания 40 ns

Время спада 35 ns

Высота 15 mm

Длина 10 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 50

Количество каналов 1 Channel

Коммерческое обозначение DTMOSIV

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TK10A80E

Технология Si

Тип корпуса TO-220FP-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 140 ns

Типичное время задержки при включении 80 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 4.5 mm

MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...