TK10A80W,S4X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK10A80W,S4X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK10A80W,S4X
Id - непрерывный ток утечки
9.5 A
Pd - рассеивание мощности
40 W
Qg - заряд затвора
19 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
460 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
35 ns
Время спада
10 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK10A80W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220SIS-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
120 ns
Типичное время задержки при включении
65 ns
Торговая марка
Toshiba
MOSFET N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...