TK14E65W,S1X Toshiba МОП-транзистор МОП-транзистор NChannel 0.22ohm DTMOS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK14E65W,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK14E65W,S1X
Id - непрерывный ток утечки
13.7 A
Pd - рассеивание мощности
130 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V to 3.5 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK14E65W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...