TK14G65W,RQ Toshiba МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK14G65W,RQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK14G65W,RQ
Id - непрерывный ток утечки
13.7 A
Pd - рассеивание мощности
130 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
20 ns
Время спада
7 ns
Высота
10.4 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK14G65W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Типичное время задержки выключения
110 ns
Типичное время задержки при включении
60 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.5 mm
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...