TK16C60W,S1VQ Toshiba МОП-транзистор N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK16C60W,S1VQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK16C60W,S1VQ
Id - непрерывный ток утечки
15.8 A
Pd - рассеивание мощности
130 W
Qg - заряд затвора
38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.7 V
Вес изделия
2,387 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
5 ns
Высота
10.4 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK16C60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.5 mm
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...