TK16G60W,RVQ Toshiba МОП-транзистор DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK16G60W,RVQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK16G60W,RVQ
Id - непрерывный ток утечки
15.8 A
Pd - рассеивание мощности
130 W
Qg - заряд затвора
38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V to 3.7 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
5 ns
Высота
10.4 mm
Длина
10 mm
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK16G60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.5 mm
MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...