TK17E80W,S1X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK17E80W,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK17E80W,S1X
Id - непрерывный ток утечки
17 A
Pd - рассеивание мощности
180 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
24 ns
Время спада
7 ns
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK17E80W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
80 ns
Типичное время задержки при включении
58 ns
Торговая марка
Toshiba
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...