TK17N65W,S1F Toshiba МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK17N65W,S1F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK17N65W,S1F
Id - непрерывный ток утечки
17.3 A
Pd - рассеивание мощности
165 W
Qg - заряд затвора
45 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
170 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
6 ns
Высота
20.95 mm
Длина
15.94 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK17N65W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Типичное время задержки выключения
100 ns
Типичное время задержки при включении
50 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Tube
Ширина
5.02 mm
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...