TK22E10N1,S1X Toshiba МОП-транзистор N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS

Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK22E10N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK22E10N1,S1X

0


Будь-яка форма оплати
Знижки для розробників і виробництв
Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою
Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн
Не вдалося знайти? Відправте запит.


Id - непрерывный ток утечки 52 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 13.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Вес изделия 6 g
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.1 mm
Длина 10.16 mm
Количество в заводской упаковке 50
Количество каналов 1 Channel
Полярность транзистора N-Channel
Серия TK22E10N1
Технология Si
Тип корпуса TO-220-3
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel
Ширина 4.45 mm
MOSFET N-Ch PWR FET 52A 72W 100V VDSS
Увага: HTML не підтримується! Використовуйте звичайний текст!

Про виробника

TOSHIBA

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...