TK2Q60D(Q) Toshiba МОП-транзистор N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK2Q60D(Q)
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK2Q60D(Q)
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
60 W
Qg - заряд затвора
7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.4 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
15 ns
Время спада
7 ns
Высота
7 mm
Длина
6.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
200
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK2Q60D
Технология
Si
Тип корпуса
PW-Mold2-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
35 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
2.3 mm
MOSFET N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...