TK31E60X,S1X Toshiba МОП-транзистор DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK31E60X,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK31E60X,S1X
Id - непрерывный ток утечки
7.7 A
Pd - рассеивание мощности
230 W
Qg - заряд затвора
65 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
73 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.5 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
22 ns
Время спада
6 ns
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK31E60X
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
130 ns
Типичное время задержки при включении
55 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...