TK31J60W,S1VQ Toshiba МОП-транзистор N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK31J60W,S1VQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK31J60W,S1VQ
Id - непрерывный ток утечки
30.8 A
Pd - рассеивание мощности
230 W
Qg - заряд затвора
105 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
88 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вес изделия
7 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
20 mm
Длина
15.5 mm
Количество в заводской упаковке
25
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK31J60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-3PN-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.5 mm
MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...