TK31N60W5,S1VF Toshiba МОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK31N60W5,S1VF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK31N60W5,S1VF
Id - непрерывный ток утечки
30.8 A
Pd - рассеивание мощности
230 W
Qg - заряд затвора
105 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
82 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V to 4.5 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
20.95 mm
Длина
15.94 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK31N60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5.02 mm
MOSFET MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...