TK31N60X,S1F Toshiba МОП-транзистор DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TK31N60X,S1F

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TK31N60X,S1F

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 30.8 A

Pd - рассеивание мощности 230 W

Qg - заряд затвора 65 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 73 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V

Vgs - напряжение затвор-исток 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V

Вес изделия 38 g

Вид монтажа Through Hole

Время нарастания 22 ns

Время спада 6 ns

Высота 20.95 mm

Длина 15.94 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 30

Количество каналов 1 Channel

Коммерческое обозначение DTMOSIV

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TK31N60X

Технология Si

Тип корпуса TO-247-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 130 ns

Типичное время задержки при включении 55 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 5.02 mm

MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...