TK33S10N1Z,LQ Toshiba МОП-транзистор UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK33S10N1Z,LQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK33S10N1Z,LQ
Id - непрерывный ток утечки
33 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
9.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.3 mm
Длина
6.5 mm
Количество в заводской упаковке
2000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK33S10N1Z
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5.5 mm
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...