TK35E08N1,S1X Toshiba МОП-транзистор 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK35E08N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK35E08N1,S1X
Id - непрерывный ток утечки
55 A
Pd - рассеивание мощности
72 W
Qg - заряд затвора
25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
12.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK35E08N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...