TK35N65W5,S1F Toshiba МОП-транзистор МОП-транзистор NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK35N65W5,S1F
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK35N65W5,S1F
Id - непрерывный ток утечки
35 A
Pd - рассеивание мощности
270 W
Qg - заряд затвора
115 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V to 4.5 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
20.95 mm
Длина
15.94 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK35N65W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
5.02 mm
MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...