TK39N60W,S1VF Toshiba МОП-транзистор DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK39N60W,S1VF
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK39N60W,S1VF
Id - непрерывный ток утечки
38.8 A
Pd - рассеивание мощности
270 W
Qg - заряд затвора
110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V to 3.7 V
Вес изделия
38 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
50 ns
Время спада
9 ns
Высота
20.95 mm
Длина
15.94 mm
Количество в заводской упаковке
30
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Крутизна Характеристики MOSFET прямой передачи - Мин.
-
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK39N60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-247-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
200 ns
Типичное время задержки при включении
80 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
5.02 mm
MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...