TK3R1E04PL,S1X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK3R1E04PL,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK3R1E04PL,S1X
Id - непрерывный ток утечки
128 A
Pd - рассеивание мощности
87 W
Qg - заряд затвора
63.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
40 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.4 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
12 ns
Время спада
27 ns
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
83 ns
Типичное время задержки при включении
28 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...