TK4R3E06PL,S1X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK4R3E06PL,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK4R3E06PL,S1X
Id - непрерывный ток утечки
106 A
Pd - рассеивание мощности
87 W
Qg - заряд затвора
48.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
10 ns
Время спада
18 ns
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
1 N-Channel
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Полярность транзистора
N-Channel
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
24 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...