TK55S10N1,LQ Toshiba МОП-транзистор UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK55S10N1,LQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK55S10N1,LQ
Id - непрерывный ток утечки
55 A
Pd - рассеивание мощности
100 W
Qg - заряд затвора
49 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
11 ns
Время спада
19 ns
Высота
2.3 mm
Длина
6.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK55S10N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
51 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5.5 mm
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...