TK56E12N1,S1X Toshiba МОП-транзистор N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK56E12N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK56E12N1,S1X
Id - непрерывный ток утечки
112 A
Pd - рассеивание мощности
168 W
Qg - заряд затвора
69 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
120 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V to 4 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
20 ns
Время спада
23 ns
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK56E12N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
73 ns
Типичное время задержки при включении
45 ns
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...