TK58E06N1,S1X Toshiba МОП-транзистор 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK58E06N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK58E06N1,S1X
Id - непрерывный ток утечки
105 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Qg - заряд затвора
46 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
5.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK58E06N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Торговая марка
Toshiba
Ширина
4.45 mm
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 105A 110W 46nC
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...