TK65E10N1,S1X Toshiba МОП-транзистор 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK65E10N1,S1X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK65E10N1,S1X
Id - непрерывный ток утечки
148 A
Pd - рассеивание мощности
192 W
Qg - заряд затвора
81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
19 ns
Время спада
26 ns
Высота
15.1 mm
Длина
10.16 mm
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK65E10N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
85 ns
Типичное время задержки при включении
44 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.45 mm
MOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...