TK65G10N1,RQ Toshiba МОП-транзистор UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK65G10N1,RQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK65G10N1,RQ
Id - непрерывный ток утечки
136 A
Pd - рассеивание мощности
156 W
Qg - заряд затвора
81 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
19 ns
Время спада
26 ns
Высота
10.4 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
1000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK65G10N1
Технология
Si
Тип корпуса
TO-262-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
85 ns
Типичное время задержки при включении
44 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.5 mm
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...