TK65S04N1L,LQ Toshiba МОП-транзистор UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

Виробник: TOSHIBA

Код товару: TK65S04N1L,LQ

Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення

Артикул: TK65S04N1L,LQ

Кіл-ть

0 відгуків0

Будь-яка форма оплати

Знижки для розробників і виробництв

Доставка по Україні Новою Поштою і Укрпоштою

Безкоштовна адресна доставка при замовленні від 5000грн

Не вдалося знайти? Відправте запит.

Id - непрерывный ток утечки 65 A

Pd - рассеивание мощности 68 W

Qg - заряд затвора 39 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.3 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток 40 V

Vgs - напряжение затвор-исток 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V

Вес изделия 4 g

Вид монтажа SMD/SMT

Время нарастания 8 ns

Время спада 17 ns

Высота 2.3 mm

Длина 6.5 mm

Канальный режим Enhancement

Количество в заводской упаковке 2000

Количество каналов 1 Channel

Конфигурация Single

Максимальная рабочая температура + 175 C

Минимальная рабочая температура - 55 C

Полярность транзистора N-Channel

Серия TK65S04N1L

Технология Si

Тип корпуса TO-252-3

Тип транзистора 1 N-Channel

Типичное время задержки выключения 51 ns

Типичное время задержки при включении 20 ns

Торговая марка Toshiba

Упаковка Reel

Ширина 5.5 mm

MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

Про виробника

TOSHIBA

Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...