TK6A80E,S4X Toshiba МОП-транзистор PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK6A80E,S4X
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK6A80E,S4X
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
45 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.35 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
Вес изделия
6 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
20 ns
Время спада
15 ns
Высота
15 mm
Длина
10 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
50
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK6A80E
Технология
Si
Тип корпуса
TO-220FP-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
85 ns
Типичное время задержки при включении
55 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
4.5 mm
MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...