TK6P60W,RVQ Toshiba МОП-транзистор N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK6P60W,RVQ
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK6P60W,RVQ
Id - непрерывный ток утечки
6.2 A
Pd - рассеивание мощности
60 W
Qg - заряд затвора
12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
680 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.7 V to 3.7 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
18 ns
Время спада
7 ns
Высота
2.3 mm
Длина
6.5 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
2000
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK6P60W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-252-3
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
55 ns
Типичное время задержки при включении
40 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Reel
Ширина
5.5 mm
MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...