TK6Q65W,S1Q Toshiba МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Виробник: TOSHIBA
Код товару: TK6Q65W,S1Q
Доступність: 5-6 тижнів
Можливе попереднє замовлення
Можливе попереднє замовлення
Артикул: TK6Q65W,S1Q
Id - непрерывный ток утечки
5.8 A
Pd - рассеивание мощности
60 W
Qg - заряд затвора
11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
890 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вес изделия
4 g
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
14 ns
Время спада
4 ns
Высота
6.1 mm
Длина
6.65 mm
Канальный режим
Enhancement
Количество в заводской упаковке
75
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
DTMOSIV
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
- 55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Серия
TK6Q65W
Технология
Si
Тип корпуса
TO-251-3
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки при включении
34 ns
Торговая марка
Toshiba
Упаковка
Tube
Ширина
2.3 mm
MOSFET Power MOSFET N-Channel
Про виробника
TOSHIBA
Toshiba Corporation — крупная транснациональная корпорация со штаб-квартирой в Токио, Япония. Диверсифицированный портфель продуктов компании включает оборудование и системы в области ИТ и коммуникаций, электронные компоненты и материалы, электроэнер... Детально...